1、完成公司薄膜ALD,PECVD,PVD等设备的导入和安装验收，主导相关工艺设定，保证设备符合研发、量产需要；2、根据公司的项目开发相关薄膜等工艺，负责薄膜等工艺研发、量产；3、优化现有产品薄膜等工艺，提高器件良率以及稳定性；4、负责薄膜等工艺日常维护和监控数据分析；5、制定薄膜等工艺方法、操作规范等工艺标准化文件；6、配合器件工程师完成新产品、新材料导入以及验证；7、负责薄膜相关设备工艺降本项目；8、负责新进工程师的薄膜等工艺培训；9、完成部门规划的其它器件工艺开发相关工作以及设备维护工作。岗位要求：1、本科及以上学历，半导体芯片制造行业薄膜(CVD/PVD)工艺背景；2、有ALD设备工艺开发维护能力优先。薪资福利：（1）具有行业竞争力的薪资福利；（2）多元化带薪假期；（3）六险一金；（4）团体旅游/拓展、年度体检；（5）团体活动俱乐部、定期培训；（6）三节福利礼金。

晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的先锋厂商，技术实力处于国际领军地位。在公司发展过程中，晶湛在业内创造过多项创举。2014年底，晶湛半导体率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，实现了国内氮化镓产业的重要升级。2021年9月，晶湛半导体成功发布12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了国内外广泛关注。经过多年的专注发展，晶湛半导体已经成为国内GaN材料研发和产业化的领军企业，通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作，多次在行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果，引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请超900项专利，其中已获得超200项专利授权。公司还先后荣获苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、苏州市企业工程技术研究中心等一系列资质和荣誉。苏州晶湛半导体有限公司将一直秉承着“成为世界领先的第三代半导体材料供应商”的愿景，为客户创造价值。