工作内容：1. 负责数据通信应用的高速高速探测器 (GaAs/InP based Photodetector）的芯片设计和研发。2. 负责器件设计，工艺流程，测量表征，分析，开发产品线平台。3. 与团队协作迭代和改善器件的性能，可靠性。职位要求：1.硕士及以上学历，光电，微电子，电子工程，物理等相关专业2.有2年以上GaAs/InP高速探测器开发经验。3.在PD领域内发表过学术文章、具有专利，或在该领域具有其他重要贡献4.深刻理解半导体制造工艺，如光刻、湿法/干法蚀刻、电介质/金属沉积。5.对高速 III-V 族（GaAs, InP）PD 的器件工作原理和优化方向有深刻的认知。熟练掌握探测器测试表征方法。6.熟悉高速RF相关设计方法。7.熟练使用DC和RF测试设备，可以对器件参数提取特性分析。8.具备良好的口头和书面沟通协作能力。9.做事认真细致，思维缜密。10.积极进取，有责任心，有长期深耕光电芯片行业的热情，有有不断学习、创新的勇气。

Vertilite（纵慧芯光）是一家创新型的光电半导体高科技公司，由多位美国斯坦福大学博士创立，并拥有雄厚的风投基金和战略投资人的资金支持。公司致力于为全球客户提供高功率以及高频率VCSEL解决方案，常州纵慧芯光半导体科技有限公司是中国区总公司，设立在江苏省常州市武进高新区。公司拥有优秀的研发团队和研发实力。为全球客户提供性能卓越的化合物半导体（GaAs，InP）芯片和外延产品。公司产品广泛应用在3D感知、虚拟现实/增强现实、自动驾驶、生物医疗传感器和高速光通信等领域，目前已与国内各大的手机终端厂商和模组厂商深度合作，具有广阔的市场前景。