1、参与存储器芯片定制电路设计模块（包括存储单元，阵列，读/写，驱动，译码，冗余及相关电路）的规格定义，存储器建模，设计，仿真验证和测试；2、参与DDR4接口存储器芯片阵列规划与设计，读写路径设计，IO规划；3、参与存储器芯片的架构定义与设计；4、参与存储器芯片设计环境搭建；5、给出版图设计者相关指导；6、版图人工检查。任职要求：1、本科及以上学历，微电子及相关专业；2、三年以上CMOS模拟集成电路设计经验，成功流片经验和芯片调试经验；3、熟练掌握定制集成电路设计流程和方法；4、熟悉各种存储器芯片原理与结构，具有DDR4 SDRAM或NOR Flash芯片相关设计者优先；5、熟练使用定制集成电路设计EDA工具；6、了解CMOS集成电路制造工艺,模拟集成电路及存储器的测试原理和方法；7、具有良好的沟通能力和团队精神，具有一定的文档编辑与处理能力。

驰拓科技有限公司（简称驰拓科技）成立于2016年1月，是一家以新型高端存储器件及系统的研发、中试与产业化为核心的半导体公司。驰拓科技坚持以市场为导向，紧紧抓住自身产品优势和市场机遇，全力打造以新型高端存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。