技能要求：半导体，集成电路学历要求：微电子、半导体、物理或相关专业本科及以上。相关工作经历要求：MOSFET产品开发3年以上工作经验专业技术要求：1.精通L-EDIT，Cadence等主要的版图设计工具，可以独立完成器件版图设计。2.至少熟练使用以下仿真软件中的一种：Silvaco，Sentaurus等。3.熟悉新产品导入的流程。4.了解工艺改善项目，能指导芯片异常的分析。5.熟悉6-8吋高中低压MOS生产加工工艺及技术参数。岗位职责：1.负责MOSFET芯片的结构设计，工艺开发。2.负责完成MOSFET产品的电性测试、物理结构分析、电性参数仿真等。设计并优化DOE实验，实现MOSFET产品参数的改善，与代工厂沟通建立工艺流程菜单。3.负责制定器件封测规范，提供器件测试分析报告。4.协助其他岗位完成产品WZT测试、良率提升、失效分析等。

本公司是中日合资专业从事半导体分立器件以及IC芯片生产的高科技工业企业，荣获国家“高新技术企业”、专精特新“小巨人”称号。公司成立于1998年底，总投资5000万美元，注册资本2963万美元，座落在扬州经济技术开发区鸿大路29号。 公司目前拥有一条四吋芯片生产线、一条大功率晶闸管生产线、一条五吋TR+IC芯片生产线、一条五吋大功率肖特基芯片生产线，一条六吋芯片生产线。 公司主要从事半导体分立器件和集成电路芯片的设计、开发、生产、销售，主要产品有高频小信号晶体管芯片、功率晶体管芯片、达林顿晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基二极管芯片、稳压二极管芯片、双极IC芯片等。公司现有多名外籍专家长年现场指导工作。